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祝賀!電子科大獲三項2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎!

電子科技大學(xué) 2024-06-24 關(guān)注學(xué)術(shù)橋

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電子科技大學(xué)共獲得三項2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎。

  6月24日上午,全國科技大會(huì )、國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會(huì )、兩院院士大會(huì )在北京召開(kāi)。習近平等黨和國家領(lǐng)導人出席大會(huì )并為獲獎代表頒獎。電子科技大學(xué)共獲得三項2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎。

  我校獲得的3項國家獎中,胡俊教授團隊牽頭完成的“面向電磁輻射散射一體化問(wèn)題的高效建模方法、聯(lián)合調控與設計技術(shù)”項目獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎,張波教授團隊牽頭完成的“功率MOS與高壓集成芯片關(guān)鍵技術(shù)及應用”項目獲得國家科技進(jìn)步二等獎,裴德樂(lè )教授獲得中華人民共和國國際科學(xué)技術(shù)合作獎。

  胡俊教授團隊的獲獎項目在國家及部委重大重點(diǎn)項目支持下,突破了電磁輻射與散射一體化問(wèn)題的全維建模、聯(lián)合調控、輻散信號分離等關(guān)鍵核心技術(shù),相關(guān)成果已應用于我國航空工業(yè)領(lǐng)域以及5G通信、石油資源勘探等行業(yè),滿(mǎn)足國家多個(gè)重大工程項目的應用急需,有力推動(dòng)了我國電磁輻射與散射一體化研究的水平,取得了顯著(zhù)的社會(huì )經(jīng)濟效益。

  張波教授團隊的獲獎項目在國家重大重點(diǎn)項目的支持下,建立了功率MOS器件電荷平衡新理論,突破了功率高壓MOS集成耐壓瓶頸,通過(guò)產(chǎn)學(xué)研合作,創(chuàng )建了三類(lèi)具有國際先進(jìn)水平的功率半導體制造量產(chǎn)工藝平臺,為全球200余家企業(yè)提供了芯片制造服務(wù),提升了我國功率高端芯片國際競爭力,推動(dòng)了中國功率半導體行業(yè)進(jìn)步。

  裴德樂(lè )教授自2015年全職來(lái)華工作、加盟電子科大以來(lái),與中國科學(xué)家合作,在國際腦電常模、腦電零參考和腦器交互技術(shù)等方面取得重要成果。作為主要發(fā)起人創(chuàng )建全球大腦聯(lián)盟組織,發(fā)起“中國-古巴-加拿大”國際腦科學(xué)合作計劃,在電子科大構建了連接全球腦電學(xué)者的WeBrain平臺,為中國腦科學(xué)的國際化作出了重要貢獻。長(cháng)期致力于宣傳推動(dòng)“一帶一路”倡議,形成了重要的國際影響力。

  2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎是自2020年度國家科學(xué)技術(shù)獎之后的首次頒獎,共評選出國家自然科學(xué)獎49項,國家技術(shù)發(fā)明獎62項,國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎139項,中華人民共和國國際科學(xué)技術(shù)合作獎10人。

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